注意：降低长距离的阻抗的唯一办法就是让电流分散流出一个大的导体表面。

注意：一个脉冲电流10000的闪电均匀通过一个厚度为1mm，覆盖面积为1000的铜片，将产生大约1.5V的电压降。同样的脉冲电流进入100imn 的#00导线将会导致超过500000的电压降。

E在导体中。电子通过场E加速，但是当它们与导体中的原子发生碰撞时将失去能量。因此,电子达到一个平均速度，我们解释为电流。假设一个#19铜导体每10000 具有802的电阻.在1m长时，电阻为26.2m.为了支持IA的流动电流电压降为26.2mV.场E为26.2 mV/m.一个10V电路,距离为1cm时在导体同场E为10000场E的切向分量与场E的垂直分量的比例近似为300000基于这个观点，我们所考虑的大部分电路都不用考虑这个场E的切向分量。

考虑一个大的导电平面,电流分别在两个点进和出。接触点的电流密度取决于连接的面积。因为电流集中在接触的点,每方形电阻的方法不再适用。

高频时,在接触点的周围会存在一个显著的电磁场。当接触点垂直于平面时，场将会变得很大。这个接触点的场主要是场H起作用,因此表现为一个串联电感。